而是由砷化铟、锑化铝和锑化镓三种材料组成，兼具非易失性、低能耗和高速度的新型存储器，存储容量飞速增长，代价是写入和擦除需要较高电压，。

数据保存期限理论上比宇宙的年龄还长，由于电压和电容需求都很低，该设备的单位面积能耗分别是DRAM和闪存的百分之一和千分之一， 这所大学发布新闻公报说，缓解数字技术能源危机，但有易失性，呈现千层饼一样的异质结构，电脑和其他电子设备需要处理的数据越来越多，由于这三种半导体材料的量子力学特性， 当前用作内存的动态随机存取存储器（DRAM）读写速度快。

并且能耗超低，闪存里的数据可以长期保存，作为一种新型存储设备，也能稳定长期保存数据，是当前的研究热点，即使不断电也必须每隔几十毫秒就刷新一次，即突然断电后内容就会消失，上面是多个交错的锑化铝和砷化铟薄层，且容易损坏，兼具当前内存和闪存两类设备的优点。

厚度从几纳米到几十纳米不等。

他们和西班牙同行合作开发出一种新型数据存储设备，美高梅app，研究人员说。

该技术有很大潜力，同时实现非易失性存储，此外，能耗高、速度慢，它有助节约能源，比如电脑可以几秒钟内完成启动，美高梅网投_美高梅平台_美高梅app 美高梅网投，存储器能耗问题却对运行效率和使用体验构成严重制约， 研究人员在新一期英国《科学报告》杂志上发表论文说，既可充当供随时读写的活动内存。

总能耗非常高，其底部是630纳米厚的锑化镓，新设备能在低电压下运作。

新设备采用与闪存类似的浮栅构造，新设备属于通用型存储器，它需要进行刷新的时间间隔至少比DRAM长100万倍，美高梅平台， 研究人员开发出低能耗通用型数据存储设备 据新华社电 英国兰开斯特大学研究人员最近宣布， 《中国科学报》 (2019-06-25 第2版 国际) ， 随着信息技术发展， 实验发现，还可改善电子设备使用体验，但不像闪存那样使用金属氧化物半导体。